+86 19924921798

IPB042N10N3G

  •  IPB042N10N3G
  • image of MOSFETs IPB042N10N3G
IPB042N10N3G
MOSFETs(1894)
Infineon英飞凌
N沟道 VDS=100
-
YES
TYPEDESCRIPTION
产品分类MOSFETs 晶体管
阈值电压Vgs(th)3.5V@150µA
漏极电流Idss100A
FET类型N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)4.2毫欧@50A,10V
漏源极电压(Vdss)100V
是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态在售
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流Id@25℃137A
导通电阻Rds On(Max)4.2mΩ
工作温度(Tj)-55°C~175°C
安装类型表面贴装(SMT)
搜索
PDF(1)
1.jpg
 Orignal genuine       Each chip comes from the original factory


2.jpg
       

 Main products       Only make original stock


3.jpg
        

 Spot inventory       Only make original stock

4.jpg       

Original stockBom DistributioAffordable Price

1

14.84458

14.84458

10

14.29959

142.9959

30

13.74461

412.3383

100

12.64464

1264.464

200

12.09965

2419.93

captcha

+86-755-82760106

ruizhengwei@gmail.com
0