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IRF8707GTRPBF

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IRF8707GTRPBF
MOSFETs(1894)
Infineon英飞凌
N沟道 VDS=30V
-
YES
TYPEDESCRIPTION
产品分类MOSFETs 晶体管
阈值电压Vgs(th)2.35V@25µA
漏极电流Idss11A
FET类型N沟道
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)11.9毫欧@11A,10V
漏源极电压(Vdss)30V
是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态不可用于新设计
漏源电压(Vdss)30V
导通电阻Rds On(Max)11.9mΩ
功率(Max)2.5W
工作温度(Tj)-55°C~150°C
安装类型表面贴装(SMT)
封装/外壳SO-8
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