D175K150E Adjustable Power Resistor_Motor driven IC_ Logic general IC_ Power IC_ Single chip microcomputer_ Optocoupler_ Sensor_ Diode triode

D175K150E


：	D175K150E
：	Adjustable Power Resistor
：	Ohmite
：	ADJ PWR RES 150
：	-
：	Bulk
：

$10.4400

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D1750A

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CSD17575Q3

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17501Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17506Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17581Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17578Q3A

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17553Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17552Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17581Q3A

德州仪器-TI

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17551Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17570Q5B

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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Driver Transistor

CSD17522Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17578Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

PMGD175XNE

安世-Nexperia

30 V, Dual N-channel Trench MOSFET

CSD17585F5

德州仪器-TI

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

DD175N

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Rectifier Diode Module

DD175N32K

英飞凌-Infineon

可控硅/二极管模块

Product parameters

PDF(1)

TYPE	DESCRIPTION
Mfr	Ohmite
Series	Dividohm®210
Package	Bulk
Product Status	ACTIVE
Tolerance	±10%
Package / Case	Radial, 3 Lead, Tubular
Adjustment Type	Slide
Mounting Type	Chassis Mount
Diameter	1.126" OD, 0.752" ID (28.60mm x 19.10mm)
Length	8.500" (215.90mm)
Termination	Solder Lug
Resistance	150 Ohms
Power (Watts)	175 W

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