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ALD1103SBL

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  • image of FET、MOSFET 阵列 ALD1103SBL
ALD1103SBL
FET、MOSFET 阵列
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N/2P-CH
-
管子
1

1

$8.2200

$8.2200

50

$6.5600

$328.0000

100

$5.8700

$587.0000

500

$5.1800

$2,590.0000

1000

$4.6600

$4,660.0000

2000

$4.3700

$8,740.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Advanced Linear Devices, Inc.
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N and 2 P-Channel Matched Pair
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大500mW
漏源电压 (Vdss)10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C40mA, 16mA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds10pF @ 5V
Rds On(最大)@Id、Vgs75Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 10µA
供应商设备包14-SOIC
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