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BSO4804HUMA2

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BSO4804HUMA2
FET、MOSFET 阵列
IR (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30
-
卷带式 (TR)
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual)
工作温度-55°C ~ 150°C
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大2W
漏源电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Ta)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds870pF @ 25V
Rds On(最大)@Id、Vgs20mOhm @ 8A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs17nC @ 5V
场效应管特性Logic Level Gate
Vgs(th)(最大值)@Id2V @ 30µA
供应商设备包PG-DSO-8
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