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HN1B04FE-GR,LXHF

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HN1B04FE-GR,LXHF
双极晶体管阵列
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q PNP
-
卷带式 (TR)

1

$0.4400

$0.4400

10

$0.3800

$3.8000

100

$0.2600

$26.0000

500

$0.2100

$105.0000

1000

$0.1700

$170.0000

2000

$0.1500

$300.0000

4000

$0.1500

$600.0000

8000

$0.1400

$1,120.0000

12000

$0.1300

$1,560.0000

28000

$0.1300

$3,640.0000

获取报价信息
HN1B04FE
东芝-Toshiba
Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱SOT-563, SOT-666
安装类型Surface Mount
晶体管类型1 NPN, 1 PNP
工作温度150°C (TJ)
功率 - 最大100mW
集电极电流 (Ic)(最大)150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce200 @ 2mA, 6V
频率-转变80MHz
供应商设备包ES6
年级Automotive
资质AEC-Q101
关闭
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