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IRF9510STRL

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IRF9510STRL
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 100
-
卷带式 (TR)
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C4A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.2Ohm @ 2.4A, 10V
功耗(最大)3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包TO-263 (D2PAK)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.7 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds200 pF @ 25 V
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