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IRFL110TR

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IRFL110TR
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100
-
卷带式 (TR)
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱TO-261-4, TO-261AA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs540mOhm @ 900mA, 10V
功耗(最大)2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包SOT-223
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds180 pF @ 25 V
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