+86-755-82760106

IS43LD16640C-18BLI-TR

  •  IS43LD16640C-18BLI-TR
  • image of 记忆 IS43LD16640C-18BLI-TR
IS43LD16640C-18BLI-TR
记忆
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
IC DRAM 1GBIT P
-
卷带式 (TR)
1

2000

$6.6700

$13,340.0000

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱134-TFBGA
安装类型Surface Mount
内存大小1Gbit
内存类型Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.14V ~ 1.95V
技术SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
时钟频率533 MHz
内存格式DRAM
供应商设备包134-TFBGA (10x11.5)
写入周期时间 - 字、页15ns
内存接口Parallel
记忆组织64M x 16
DigiKey 可编程Not Verified
关闭
询价
captcha

+86-755-82760106
0