| ： | SIZF300DT-T1-GE3 |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Vishay / Siliconix |
| ： | MOSFET 2N-CH 30 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 1 |
1
$1.2200
$1.2200
10
$1.0000
$10.0000
100
$0.7700
$77.0000
500
$0.6600
$330.0000
1000
$0.5300
$530.0000
6000
$0.4800
$2,880.0000
9000
$0.4600
$4,140.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerWDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.2V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-PowerPair® (6x5) |
