| ： | SP8M7FU6TB |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | ROHM Semiconductor |
| ： | MOSFET N/P-CH 3 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 1 |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | N and P-Channel |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 5A, 7A |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 230pF @ 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 51mOhm @ 5A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 5.5nC @ 5V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备包 | 8-SOP |
