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SQ1563AEH-T1_GE3

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SQ1563AEH-T1_GE3
FET、MOSFET 阵列
Vishay / Siliconix
MOSFET N/P-CH 2
-
卷带式 (TR)

1

$0.5100

$0.5100

10

$0.4300

$4.3000

25

$0.4100

$10.2500

100

$0.3200

$32.0000

250

$0.3000

$75.0000

500

$0.2500

$125.0000

1000

$0.2000

$200.0000

3000

$0.1800

$540.0000

6000

$0.1700

$1,020.0000

15000

$0.1600

$2,400.0000

30000

$0.1500

$4,500.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
安装类型Surface Mount
配置N and P-Channel
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大1.5W
漏源电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C850mA (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On(最大)@Id、Vgs280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id1.5V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® SC-70-6 Dual
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